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- 发布日期：2024-01-10 17:31 点击次数：107
MWT-LN600
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编号：
938-MWT-LN600
制造商编号：
MWT-LN600
制造商：
CML Micro
CML Micro
客户编号:
说明：
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices
寿命周期:
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数据表:
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: CML Micro 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: - 技术: GaAs Id-连续漏极电流: 175 mA Vds-漏源极击穿电压: 4.5 V Rds On-漏源导通电阻: - 工作频率: 26 GHz 增益: 8 dB， 11 dB 输出功率: 20 dBm 最小工作温度: - 最大工作温度: + 150 C 安装风格: - 封装 / 箱体: Die 封装: Bulk 商标: CML Micro 正向跨导 - 最小值: 300 mS Pd-功率耗散: 500 mW 产品类型: RF MOSFET Transistors 系列: MWT 工厂包装数量: 工厂包装数量: 1000 子类别: MOSFETs 商标名: MWT-LN600 晶体管类型: pHEMT
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产品合规性
USHTS: 8541210040 TARIC: 8541290000 ECCN: EAR99
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GaAs FET & pHEMT Devices
MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear， 芯片采购平台 high-dynamic range， and low-phase noise devices that include commercial， industrial， military， and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull， die shear， wafer DC burn-in， and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators， narrow-band， wideband applications， space， and military applications.