MWT-LN600

图像仅供参考
请参阅产品规格

编号：

938-MWT-LN600

制造商编号：

MWT-LN600

制造商：

CML Micro

客户编号:

说明：

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Low Noise pHEMT Devices

寿命周期:

的新产品

数据表:

MWT-LN600 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解CML Micro MWT-LN600详情

对比产品 查看对比 (0)

对比产品

添加至项目 | 添加注释：

库存量: 100

库存：

100 可立即发货

× 限制装运

6 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。

最少： 10   倍数： 10

输入数量：

购买

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

数量 单价

总价

× 包装选择

取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。

剪切带

产品从完整卷轴带切割成定制数量。

eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。

完整卷轴

订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按?的倍数订购。

卷轴和剪切带

以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。

卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）

以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。

特色产品

CML MICRO

查看来自CML Micro的所有新品速递

规格

找到的产品: 显示类似项

要显示类似产品， 芯片采购平台至少选中一个复选框

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

显示类似项 已选择的属性: 0

工厂包装数量 ×

工厂包装数量 - 工厂通常发货的包装大小（注意：制造商可能会更改包装大小而不另行通知）。

以“工厂包装数量”的倍数订购对于我们的批量生产客户来说最有效。

在大部分情况下，非常乐意拆分“工厂包装数量”。 （请参见最低订货量和倍数以确认订购要求）

文件

文件 (1)

文件 (1)

筛选文档:

选择文档类型 数据表 (1)

数据表

MWT-LN600 数据表 (PDF)

显示所有

显示更少

产品合规性

USHTS: 8541210040 TARIC: 8541290000 ECCN: EAR99

更多信息

GaAs FET & pHEMT Devices

MicroWave Technology GaAs FET and pHEMT Devices are ultra-linear, high-dynamic range, and low-phase noise devices that include commercial, industrial, military, and space-grade variants. The GaAs process employed by MicroWave Technology is approved for space applications with proven reliability. These devices come with standard and custom device specifications with high-rel and space-rel screening options availability. The GaAs FET and pHEMT devices are RoHS (lead-free) compliant and offer 100% wafer bond pull, die shear, wafer DC burn-in, and bake tests in evaluation per MIL-PRF-38534. These devices are typically suitable for oscillators, narrow-band, wideband applications, space, and military applications.

• Micro
• CML
• MWT-LN600